MEMORIA RAM SILICON POWER 4GB DDR4 2666Mhz (1x4) CL19

Silício Power SP004GBSFU266X02. Componente para: Laptop, Memória interna: 4 GB, Layout da memória (módulos x tamanho): 1 x 4 GB, Tipo de memória interna: DDR4, Velocidade do clock da memória: 2666 MHz, Formato do fator de memória: SO-DIMM de 260 pinos, Latência CAS : 19

Especificações

Caracteristicas Memória interna 4GB Layout de memória (módulos x tamanho) 1x4 GB Tipo de memória interna DDR4 Velocidade da memória do relógio 2.666 MHz Componente para Computador portátil Formulário de fator de memória SO-DIMM de 260 pinos Caracteristicas ECC Não Latência CAS 19 tensão de memória 1,2V Luz de fundo Não Certificação CE, FCC, ponto verde, WEEE, RoHS Tipo de memória buffer Não registrado (sem buffer) Dados logísticos Código do Sistema de Harmonização (HS) 84733020